GNEE bay fòm lan
Kontni chimik
|
Egzanp UNS Baz + Tanperaman |
Cu (min) |
Zn |
P |
O (max) |
Pb (max) |
Fe (max) |
Lòt Eleman |
|
C10100(egzanp, TU2) |
99.99% |
- |
- |
0.0005% |
- |
0.001% |
Ag: 0.0025% |
|
C10200 (egzanp, TU1) |
99.95% |
- |
- |
0.001% |
- |
- |
- |
|
C11000(e.g., T2) |
99.90% |
- |
- |
0.040% |
- |
- |
- |
|
C12000 (egzanp, TP1) |
99.90% |
- |
0.004-0.012% |
- |
0.005% |
0.005% |
- |
|
C12100(Non-estanda) |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
(Pa defini nan ASTM) |
|
C12200 (egzanp, TP2) |
99.90% |
- |
0.015-0.040% |
- |
0.005% |
0.005% |
- |
|
C21000(e.g., H96) |
94.0-96.0% |
Rem. |
- |
- |
0.03% |
0.05% |
- |
|
C22000(e.g., H90) |
89.0-91.0% |
Rem. |
- |
- |
0.05% |
0.05% |
- |
|
C23000(e.g., H85) |
84.0-86.0% |
Rem. |
- |
- |
0.05% |
0.05% |
- |
|
C24000(e.g., H80) |
78.5-81.5% |
Rem. |
- |
- |
0.05% |
0.05% |
- |
|
C26000(e.g., H70) |
68.5-71.5% |
Rem. |
- |
- |
0.07% |
0.05% |
- |
|
C26100(e.g., -) |
67.0-70.0% |
Rem. |
- |
- |
0.07% |
0.05% |
Kòm: 0.02-0.08% |
|
C26200(e.g., H68) |
67.0-70.0% |
Rem. |
- |
- |
0.07% |
0.05% |
Kòm: 0.02-0.06% |
Pwosesis Nòt
Recuit: Fè anba atmosfè idwojèn oswa nitwojèn (400 ~ 600 degre) pou anpeche oksidasyon.
K ap travay frèt: Rekòmande deformation pou chak pas mwens pase oswa egal a 30% pou fè pou evite konsantrasyon estrès ak fann.
Soude: TIG soude pi pito; Agon pite Pi gran pase oswa egal a 99.995%.
Senaryo aplikasyon kle
① Gwo-Kominikasyon ak Elektwonik frekans
Antèn Rada Vag Milimèt: Pou estasyon baz 5G ak rada otomobil, itilize karakteristik pèt siyal ki ba.
Segondè -Substrate sikwi frekans yo: Substrat liy Microstrip/koplanè gid ond nan ekipman kominikasyon satelit, asire segondè -estabilite frekans.
② Nouvo Veyikil Enèji ak Enfrastrikti Chaje
Pouvwa Batri Onglets / Konektè: Segondè konduktivite diminye chofaj rezistans, amelyore efikasite chaj / egzeyat.
Fast Charger Entèn Kondiktè: Sipòte gwo -transmisyon aktyèl, minimize fatra enèji.
③ Enstriman Precision & Detèktè
Gwo -sond Tanperati Presizyon: Thermocouple pwoteksyon djenn, rezistan a tanperati ki wo ak konduktiviti tèmik inifòm.
Fil elektrik MEMS (mikwo-elektwo-sistèm mekanik): fil ultra-fin (Φ<0.1mm) for micro-sensor interconnects.
④ Ekipman enèji renouvlab
Riban fotovoltaik: entèkonekte selil solè yo, rezistans ki ba amelyore efikasite konvèsyon fotovoltaik.
Van Power Converter Chalè Baseplates: Optimize jesyon tèmik atravè gwo konduktiviti tèmik, pwolonje lavi ekipman yo.
⑤ Elektwonik Konsomatè segondè-
Hi-Fi Audio Cables: OFC diminye distòsyon siyal odyo, amelyore pite son.
Ultra-Hens ekran pliable: Duktilite segondè sipòte Stamping presizyon.
⑥ Espesyal Ekipman Endistriyèl
EDM (Electrical Discharge Machining) Electrodes: Pite segondè asire egzeyat inifòm, reyalize fini sifas jiska Ra 0.2μm.
Sous evaporasyon depo vakyòm: Rezistan a -sublimasyon tanperati ki wo, sa ki pèmèt segondè konsistans depo fim.
⑦ Jaden Teknoloji Emerging yo
Bobines supèrkondiktè Quantum Computer: Kenbe konduktiviti ki estab nan anviwònman kriyojenik (-269 degre).
3D Enpresyon Metal Powder: Yo itilize nan Electron Beam Melting (EBM) pou enprime pati konplèks segondè -tèmik- konduktivite.
FAQ
Q1: Ki diferans ki genyen ant C10100 ak C10200?
A: C10200 gen yon kontni oksijèn mwens pase oswa egal a 0.001%, yon ti kras pi ba konduktiviti (100% IACS), ak pi ba pri.
Q2: Ki jan yo estoke pou anpeche oksidasyon?
A: Anbalaj vakyòm oswa depo ki ranpli{0}}azòt rekòmande, ak imidite mwens pase oswa egal a 40% RH.
Q3: Èske plating sipòte?
A: Silver / nikèl / fèblan plating posib; netwayaj asid (egzanp, 5% solisyon asid silfirik) oblije an premye pou retire oksid sifas yo.
Pwodwi kwiv GNEE yo enkli
| Kategori pwodwi | Estanda | Tipik alyaj | Fòm komen / Kalite | Ranje gwosè (epesè/dyamèt) | Ranje gwosè (Lajè) | Ranje gwosè (longè) | Tanperaman / dite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tib kwiv / tiyo | ASTM B75, B88, B280 EN 1057 |
C10200 (OFE) C12200 (DHP) |
San pwoblèm ACR (Ekondisyone & Refrijerasyon) Gaz medikal Tib kapilè |
0.5 mm - 6.0 mm (Epesè miray) 3 mm - 300 mm (Dyamèt Eksteryè) |
- | Longè Dwat: 1m - 6m Bobin: 15m - 50m |
rkwit (mou) Mwatye-Difisil Difisil trase |
| Fèy Copper & Plak | ASTM B152, B465 EN 1652 |
C11000 (ETP) C10200 (OFHC) C19400 |
Fèy (mwens pase oswa egal a 6mm) Plate (>6mm) Shim Stock |
0.2 mm - 50 mm (Fèy: 0.2mm - 6mm) (Pak: 6mm - 50mm) |
100 mm - 1500 mm | 500 mm - 3000 mm oswa Bobin |
Mou (rekuit) Trimestre-Difisil Mwatye-Difisil Difisil Prentan |
| Copper Bar & Rod | ASTM B133, B187 B301, B441 |
C11000 (ETP) C36000 (Gratis-Koupe) C14500 (Tellurium) |
Bar kare Flat Bar Egzagonal Bar Rod wonn (mawonnen) |
3 mm - 200 mm (Dyamèt/Epesè) |
6 mm - 200 mm (Pou Flat Bar) |
Dwat: 1m - 4m Bobin: (sou demann) |
Mou (rekuit) Mwatye-Difisil Difisil Kòm èkstrude |
| Fil kwiv | ASTM B1, B2, B3 B174, B189 |
C11000 (ETP) C10100 (OFHC) C14420 (CuAg) |
Bare Fil Fil fèblan Bunched/Stranded Fil Profile Fil |
0.05 mm - 12 mm (AWG 44 - AWG 3) |
- | Bobin: 5kg - 500kg Bobin, tanbou |
rkwit (mou) Difisil trase Tanperaman prentan |
| Foil kwiv | ASTM B370, B101 IPC-4562 |
C11000 (ETP) C10200 (OFHC) |
Woule Foil Foil Electrodeposited (ED). |
0.005 mm - 0.2 mm (5µm - 200µm) |
50 mm - 1300 mm | Bobin: 100m - 3000m | Kòm woule (difisil) rkwit (mou) Double rkwit |
