1. Materyèl estanda ak konpozisyon
Eksplikasyon sou non mak:
Creole Chinwa (GB/T 5231-2012) Klèman lis "Tu3" klas, domestik oksijèn-gratis kwiv ak TU1 (pite pi gran pase oswa egal a 99,97%) ak TU2 (pite pi gran pase oswa egal a 99.95%) yo se prensipal la.
Tokay entènasyonal: "TU3" mansyone pa itilizatè yo ka lonje dwèt sou C10200 nan ASTM B152. Kwiv oksijèn-gratis (ke yo rele tou "nan kwiv"), ki gen pite se ant TU1 ak TU2.
Kondisyon konpozisyon C10200 (ASTM B152):
Copper (Cu) oksijèn (O) fosfò (P) sòm de lòt enpurte
Pi gran pase oswa egal a 99.95% mwens pase oswa egal a 0. 0 0 1% mwens pase oswa egal a 0.005% mwens pase oswa egal a 0.05
2. Pwopriyete fizik ak mekanik
Paramèt C10200 tipik valè konparezon TU1/TU2
Dansite (g/cm³) 8.93 Tu1: 8.94, Tu2: 8.93
Konductivite elektrik (IACS, 20 degre) pi gran pase oswa egal a 100% TU1: 101%, TU2: 99
Tèmik konduktivite (w/(MK)) 395 TU1: 398, TU2: 390
Fòs rupture (eta mou, MPa) 200-240 Tu1: 200-250, Tu2: 195-240
Elongasyon (mou eta, %) pi gran pase oswa egal a 40 Tu1: pi gran pase oswa egal a 45, Tu2: pi gran pase oswa egal a 40
To vakyòm outgassing mwens pase oswa egal a 3 × 10- ⁹ Pa-m³/s ant Tu1 ak Tu2
3. Avantaj Nwayo
Pite ak oksijèn balans kontni:
Pite pi gran pase oswa egal a 99.95%, kontni oksijèn mwens pase oswa egal a 0.
Evite risk pou yo embrittlement idwojèn (kontni oksijèn tèlman ba ke faz Cu₂o pa ka fòme).
Pwosesis adaptabilite:
Soft elongasyon pi gran pase oswa egal a 40%, apwopriye pou Stamping ak gwo twou san fon desen (egzanp ultra-mens feuilles kwiv, konektè RF).
Fòs rupture jiska 380 MPa (eta difisil) apre redi travay frèt, apwopriye pou gwo sous dlo kondiktè.
Konpatibilite vakyòm:
Pousantaj ki ba outgassing, apwopriye pou ekipman kouch ion ak vakyòm mwens pase oswa egal a 10- ⁶ PA, veso espasyèl eleman kontwòl tèmik.
4. senaryo aplikasyon tipik
Anbalaj elektwonik:
IGBT/DBC substrate: thermal expansion coefficient matching ceramics (e.g. Al₂O₃), thermal cycling life>5000 fwa.
HF kowaksyal kab enteryè kondiktè: atenuasyon siyal<0.1 dB/m (1 GHz band).
Ekipman vakyòm:
Vacuum chanm sele bride: elyòm fwit pousantaj ＜ 1 × 10- ⁹ Pa-m³/s.
Ekran refwadisman ponp kriyojenik: konduktiviti tèmik tèmik ki estab nan tanperati 4k ultra-ba, flit chalè<0.5 mW.
Enèji & Pouvwa:
Superconducting leman estabilize kouch: 77k ba tanperati rezistivite<5×10-¹⁰ Ω-m, guaranteeing magnet resistance to superloss.
Aparèy fizyon premye miray refwadisman tib: netwon iradyasyon rezistan (gout konduktivite<3% after irradiation).
5. Pwosesis ak manyen direktiv
Fòme pwosesis:
Fwad woule: rupture fòs ogmante a 350 MPa nan 80% anba presyon (entèmedyè rkwir obligatwa).
Welding: Recommended electron beam welding or laser welding, conductivity retention of welded seams >98%.
Tretman sifas:
Chimik polisaj: nitrik asid-fosfò melanj asid (rapò 1: 4), sifas brutality RA jiska 0. 03 μm.
Ajan/lò plating: epesè plating 0. 2-0. 5 μm, rezistans kontak<0.005 mΩ.
Tretman chalè:
Idwojèn rkwir (500-550 degre x 1 h) elimine estrès pwosesis ak retabli pwopriyete eta mou.
6. Konparezon ak materyèl ki sanble
Paramèt C10200 (TU3) TU1 (C10100) TU2 (C11000)
Pite kwiv pi gran pase oswa egal a 99.95% pi gran pase oswa egal a 99,97% pi gran pase oswa egal a 99,95
Kontni oksijèn mwens pase oswa egal a {{0}}. 0 01% mwens pase oswa egal a 0.003% mwens pase oswa egal a 0.004
Konduktivite elektrik (IACS) 100% 101% 99%
Pri ($/kg) 65-75 80-90 55-65
Senaryo ki aplikab Precision Vacuum konpozan Superconductivity/Quantum Computing Konvansyonèl konpozan trè kondiktè
7 tandans teknoloji ak defi yo
Segondè kontwòl pite:
Eleman malpwòpte (egzanp, Fe) bezwen kontwole yo<10 ppm to meet semiconductor device requirements.
Konsepsyon estrikti konpoze:
Copper-Graphene Fèy konpoze: Ajoute 0. 05% Graphene, tèmik konduktivite ogmante a 420 W/(MK).
Adaptasyon anviwònman ekstrèm:
Anti-irradiation modification: Through nanocrystallization treatment, the ductility retention rate after neutron irradiation is >80%.
8. Rezime
C10200 (TU3) oksijèn kwiv gratis reyalize yon balans menm pi bon ant pite, konduktiviti, pèfòmans vakyòm ak pri, ak valè debaz ki gen ladan:
Pozisyon: Pèfòmans fèmen nan TU1 men pi ba pri, apwopriye pou senaryo kote se pite segondè yo mande men bidjè a limite (egzanp ekipman kouch vakyòm, jeni kriyojenik).
Irreplaceability: Nan anviwònman ekstrèm tankou anbalaj semi -conducteurs ak aparèy fizyon nikleyè, li pa ka ranplase pa aliminyòm oswa kwiv òdinè.
Sijesyon Sosyete Seleksyon:
Egzijans degre vakyòm mwens pase oswa egal a 10- ⁶ PA mwayen ak ekipman vakyòm-wo fen (tankou lojman ponp molekilè).
High-frekans/segondè-aktyèl-dansite pati kondiktè (egzanp, kavite onn pou estasyon baz 5G).
Sistèm superconducting ba-tanperati (egzanp MRI leman estabilize kouch) kote pri ak pèfòmans bezwen yo dwe balanse.
